薄膜太阳电池系列讲座(18) 硅基薄膜太阳电池(十)  

作　　者：张晓丹[1] 赵颖[1] 熊绍珍[1] 

机构地区：[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 光电信息技术科学教育部重点实验室 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

出　　处：《太阳能》2012年第21期14-16,共3页Solar Energy

摘　　要：单结硅基薄膜太阳电池的Ｖoc、Jsc。与带隙之间的实验结果如图48所示。由图中可知，晶体材料基本符合Green的半经验极限，据Kiess的理论数值有一个近乎平行的整体位移，而薄膜电池中多晶CdTe电池离Green极限有一定差距，而无定形非晶硅电池则差距较大，这与薄膜材料的结构、性能、制备工艺成熟程度明显相关。该数据对非晶硅电池的数据显得陈旧，目前Koc达到1V并非难事。

关 键 词：薄膜太阳电池 硅基 Green 非晶硅电池 晶体材料 整体位移 CDTE 薄膜电池 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]