半导体GaN三阶非线性光学性质研究  

作　　者：石圣涛[1] 李中国[1] 宋瑛林[1] 

机构地区：[1]苏州大学,江苏苏州215006

出　　处：《黑龙江科技信息》2012年第33期8-9,共2页Heilongjiang Science and Technology Information

摘　　要：用双4f相位成像技术,对半导体GaN多晶在600nm,皮秒时域的三阶非线性光学性质进行了实验测量。根据相关理论,通过数值模拟确定了GaN在相关条件下的三阶非线性光学参数。实验测量得到的双光子吸收系数b=9.54 10-11(m/W),三阶非线性折射率n2=-1.33 10-17(m2/W),该结果表明GaN是一种性能优异的非线性光学材料。

关 键 词：双4f相位成像技术 GAN 相位物体 光学非线性 

分 类 号：O631.24[理学—高分子化学]