MoO_3源漏电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的影响  

Effect of MoO_3 Buffer Layer on the Performance of Organic Thin Film Transistor

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作  者:徐洁[1,2] 李青[1,2] 林慧 王洪[1,2] 

机构地区:[1]电子科技大学光电信息学院 [2]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054

出  处:《电子科技大学学报》2012年第6期941-943,共3页Journal of University of Electronic Science and Technology of China

基  金:教育部留学归国基金(GGRYJJ08-05);中央高校基本科研业务费专项资金(ZYGX2009J054)

摘  要:以并五苯(pentacene)作为有机薄膜晶体管(OTFTs)的载流子传输层,采用比常用金电极(Au)廉价的Ag作为源漏电极,在pentacene与Ag之间添加MoO3超薄层作为缓冲层,制备了具有较高场效应迁移率()的晶体管器件。结果表明,器件在栅极电压VG为40 V时,传输电流IDS超过了50 A,空穴迁移率达到0.26 cm2/Vs。同时,从器件的输出特性与物理机制分析了MoO3缓冲层在器件中的作用。High field effect mobility (μ) organic thin film transistor (OTFT) was fabricated by using MoOa buffer layer between organic semiconductor (pentacene) and source/drain electrodes (Ag). The hole mobility of OTFT reached 0.26 cm2Ns and output current IDS achieved more than 50μA when the gate voltage was 40 V. The detailed effect of MoOa buffer layer was analyzed via output characteristics and physical mechanism.

关 键 词:空穴迁移率 MoO3缓冲层 有机薄膜晶体管 阈值电压 

分 类 号:TN383.1[电子电信—物理电子学]

 

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