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作 者:胡文弢[1] 杨洪涛[1] 冀文慧[1] 冯友良[1] 呼和满都拉[1]
机构地区:[1]内蒙古集宁师范学院物理系,乌兰察布012000
出 处:《原子与分子物理学报》2012年第6期1113-1116,共4页Journal of Atomic and Molecular Physics
基 金:内蒙古自治区高等学校科学研究项目(NJZY11287)
摘 要:采用线性组合算符和变分方法研究了极性晶体膜中激子与表面光学(SO)声子强耦合、与体纵光学(LO)声子弱耦合体系的性质,推导出了激子诱生势的表达式,并以AgBr晶体为例进行了数值计算.结果表明:激子的诱生势不仅与电子-空穴间距离有关,而且温度与极性晶体膜厚度对激子诱生势的影响也十分显著.The system, in which the excitons interact with both the weak-coupling bulk longitudinal-optical (LO) phonons and strong-coupling surface-optical (SO) phonons in a slab of polar crystal, is studied by using a linear combination operator and the Lee-Low-Pines variational method. The expression of the induced potential of the exciton is derived, and the numerical calculations for the AgBr crystal as an example are made. The results show that the induced potential of the exciton relates not only to the distance between electron and hole, but also to the thickness of slab and temperature.
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