相变存储器中灵敏放大器的设计  

Design of Sense Amplifier for Phase Change Random Access Memory

作　　者：张怡云[1] 陈后鹏[1] 龚亮[1] 王倩[1] 蔡道林[1] 陈一峰[1] 宋志棠[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室,上海200050

出　　处：《微电子学》2012年第6期762-764,769,共4页Microelectronics

基　　金：国家重点基础研究发展计划基金资助项目(2010CB934300;2011CBA00607;2011CB932800);国家集成电路重大专项(2009ZX02023-003);上海市科委资助项目(1052nm07000);国家自然科学基金资助项目(60906004;60906003;61006087;61076121)

摘　　要：设计了一种用于相变存储器(PCRAM)的全对称差分灵敏放大器电路,该电路采用预充电技术、限幅电路和防抖动电阻,具有抗干扰能力强、灵活性好、系统性失配小等优点。基于0.13μm CMOS工艺,设计了一个8Mb的PCRAM测试芯片,并进行了流片。测试结果表明,设计的电路在读周期为2μs时能达到很好的读出效果。A fully symmetrical topology of sense amplifier for phase-change RAM was proposed. In this circuit, a precharge circuit, a clipping circuit and anti-vibration resistors were used. The proposed structure featured anti- inference capability, good flexibility and less systematic offset. The amplifier, along with an 8-Mhit PCRAM, was fabricated in 0. 13 μm CMOS process. Test results showed that the proposed circuit had a good readout effect for a reading cycle of 2 μs.

关 键 词：相变存储器 灵敏放大器 预充电 

分 类 号：TN433[电子电信—微电子学与固体电子学]