陈一峰

作品数：10被引量：10H指数：2
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供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：相变存储器相变存储器写操作脉冲更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术农业科学金属学及工艺更多>>
发文期刊：《功能材料与器件学报》《固体电子学研究与进展》《半导体光电》《微电子学》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目中国科学院科研项目更多>>
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连续性RESET/SET对相变存储器疲劳特性的影响被引量：2
《上海交通大学学报》2021年第9期1134-1141,共8页吴磊 蔡道林 陈一峰 刘源广 闫帅 李阳 余力 谢礼 宋志棠 
国家重点研发计划(2017YFA0206101,2017YFB0701703,2017YFA0206104,2017YFB0405601,2018YFB0407500);国家自然科学基金(61874178,61874129,91964204,61904186,61904189);上海市科委(17DZ2291300,19JC1416801);上海市扬帆计划(19YF1456100)资助项目。
为探究连续性RESET操作和连续性SET操作对相变存储器疲劳特性的影响,基于4 Mbit相变存储器芯片进行了不同RESET-SET次数比的疲劳特性研究,给出了连续RESET和连续SET操作后相变单元阻值分布的变化情况.将RESET-only与SET-only模式下的疲...
关键词：相变存储器 连续性RESET操作 连续性SET操作 疲劳特性 失效改善 
相变存储器失效时间分析
《电子元件与材料》2015年第10期40-42,63,共4页魏宏阳 蔡道林 陈一峰 霍如如 宋志棠 
中国科学院战略性先导科技专项资助(No.XDA09020402);国家重点基础研究发展计划资助(No.2013CBA01900;No.2010CB934300;No.2011CBA00607;No.2011CB9328004);国家集成电路重大专项资助(No.2009ZX02023-003);国家自然科学基金资助(No.61176122;No.61106001;No.61261160500;No.61376006);上海市科委项目资助(No.12nm0503701;No.13DZ2295700;No.12QA1403900;No.132R1447200)
从保持力失效时间的角度出发,对相变存储器实施了保持力加速寿命实验。实验过程中发现,在比较高的温度下,随着测试时间的增长,存储器单元的RESET阻值会逐渐变小。这个现象符合Arrhenius模型。而且,温度越高,失效时间越短。不同初始RESE...
关键词：相变存储器 RESET 失效时间 温度 阻值 晶粒生长 
基于相变存储器器件单元的电流脉冲测试系统被引量：1
《半导体光电》2014年第1期136-138,143,共4页王玉婵 陈小刚 宋志棠 陈一峰 王月青 陈后鹏 饶峰 
国家"973"计划项目(2011CB9328004;2010CB934300;2011CBA00607);国家集成电路重大专项项目(2009ZX02023-003);国家自然科学基金项目(60906004;60906003;61006087;61076121;61176122;61106001);上海市科委项目(11DZ2261000;1052nm07000;11QA1407800);中国科学院资助项目(20110490761)
相变存储器单元的测试主要包括set、reset和read操作,目前国内外多采用施加电压脉冲的方法对相变存储单元进行reset操作,这不仅容易造成器件的损坏,而且使得相变过程中瞬态电流的准确计算非常困难。与常规测试方法不同,文章提出一种专...
关键词：相变存储器 SET RESET 电流脉冲 测试系统 
相变存储器中灵敏放大器的设计被引量：2
《微电子学》2012年第6期762-764,769,共4页张怡云 陈后鹏 龚亮 王倩 蔡道林 陈一峰 宋志棠 
国家重点基础研究发展计划基金资助项目(2010CB934300;2011CBA00607;2011CB932800);国家集成电路重大专项(2009ZX02023-003);上海市科委资助项目(1052nm07000);国家自然科学基金资助项目(60906004;60906003;61006087;61076121)
设计了一种用于相变存储器(PCRAM)的全对称差分灵敏放大器电路,该电路采用预充电技术、限幅电路和防抖动电阻,具有抗干扰能力强、灵活性好、系统性失配小等优点。基于0.13μm CMOS工艺,设计了一个8Mb的PCRAM测试芯片,并进行了流片。测...
关键词：相变存储器 灵敏放大器 预充电 
基于相变存储器的音频存储播放系统设计被引量：2
《功能材料与器件学报》2012年第4期327-331,共5页许林海 陈小刚 宋志棠 陈一峰 丁晟 
国家集成电路重大专项(2009ZX02023-003);国家重点基础研究发展计划(2007CB935400;2010CB934300);上海市科委(09QH1402600;1052nm07000)资助项目
基于研制成功的国内第一款8M-bits相变存储器(8Mb PCM)试验芯片,设计了一套音频存储播放系统。该系统主要由8Mb PCM芯片,现场可编程门阵列(FPGA),音频输入输出电路以及音频转换电路模块(AD73311芯片)等部分构成。系统以FPGA为核心处理单...
关键词：相变存储器 音频存储播放系统 AD73311 FPGA VERILOG硬件描述语言 
一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路
《微电子学》2011年第6期840-843,共4页陈一峰 宋志棠 陈小刚 陈后鹏 刘波 白宁 陈邦明 吴关平 谢志峰 杨左娅 
国家集成电路重大专项(2009ZX02023-003);国家重点基础研究发展计划资助项目(2007CB935400;2010CB934300;2011CB309602;2011CB932800);国家自然科学基金资助项目(60906004;60906003;61006087;61076121);上海市科委资助项目(09QH1402600;1052nm07000)
基于相变存储器的擦操作(SET)特性,设计了一种能够产生电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路,采用130nm标准CMOS工艺将其与128kb的相变存储器实验芯片集成。相比传统的单一电流脉冲擦驱动电路,这种改进后的擦驱动电路能将相变存储单元的电...
关键词：相变存储器 非易失性存储器 电流阶梯波 擦驱动电路 
一种1kb相变存储芯片的设计被引量：1
《微电子学》2011年第6期844-847,851,共5页丁晟 宋志棠 陈后鹏 蔡道林 陈一峰 王倩 陈小刚 刘波 谢志峰 
国家集成电路重大专项(2009ZX02023-003);国家重点基础研究发展计划基金资助项目(2007CB935400;2010CB934300);上海市科委资助项目(09QH1402600;1052nm07000);2010年度中科院科技创新与社会实践专项资助
以中科院上海微系统与信息技术研究所自主研发的相变存储器工艺为基础,开发了一款容量为1kb、可应用于射频标签(RFID)的嵌入式相变存储芯片。该芯片以1T1R为基本单元结构,采用箝位读出方式以及电流镜式写驱动电路,成功实现了相变存储器...
关键词：存储器 相变存储器 相变存储芯片 
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