一种1kb相变存储芯片的设计  

Design of a 1 kb Phase Change Memory Chip

作　　者：丁晟[1] 宋志棠[1] 陈后鹏[1] 蔡道林[1] 陈一峰[1] 王倩[1] 陈小刚[1] 刘波[1] 谢志峰[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室,上海200050 [2]中芯国际集成电路制造有限公司,上海201203

出　　处：《微电子学》2011年第6期844-847,851,共5页Microelectronics

基　　金：国家集成电路重大专项(2009ZX02023-003);国家重点基础研究发展计划基金资助项目(2007CB935400;2010CB934300);上海市科委资助项目(09QH1402600;1052nm07000);2010年度中科院科技创新与社会实践专项资助

摘　　要：以中科院上海微系统与信息技术研究所自主研发的相变存储器工艺为基础,开发了一款容量为1kb、可应用于射频标签(RFID)的嵌入式相变存储芯片。该芯片以1T1R为基本单元结构,采用箝位读出方式以及电流镜式写驱动电路,成功实现了相变存储器的读写功能。测试结果显示,该芯片可重复擦写次数达到107次,在80℃条件下数据保持力达到10年,圆片(wafer)成品率达到99.9%。A 1-kb phase change memory chip（PCRAM） was fabricated using phase change memory process developed by SIMIT,which could be used as embedded memory for RFID.The PCRAM cell was based on 1T1R structure.A clamp reading drive and a current mirror writing drive were designed to realize load/store function of PCRAM.Test results showed that the proposed PCRAM chip had an endurance up to 107,and its data retention could be extrapolated to 10 years at 80 ℃.The wafer yield was up to 99.9%.

关 键 词：存储器 相变存储器 相变存储芯片 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]