一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路  

SET Driver for Phase Change Memory Based on Step-Down Current Pulse

作　　者：陈一峰[1] 宋志棠[1] 陈小刚[1] 陈后鹏[1] 刘波[1] 白宁 陈邦明 吴关平[3] 谢志峰[3] 杨左娅[3] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室,上海200050 [2]微芯科技公司 [3]中芯国际集成电路制造有限公司,上海201203

出　　处：《微电子学》2011年第6期840-843,共4页Microelectronics

基　　金：国家集成电路重大专项(2009ZX02023-003);国家重点基础研究发展计划资助项目(2007CB935400;2010CB934300;2011CB309602;2011CB932800);国家自然科学基金资助项目(60906004;60906003;61006087;61076121);上海市科委资助项目(09QH1402600;1052nm07000)

摘　　要：基于相变存储器的擦操作(SET)特性,设计了一种能够产生电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路,采用130nm标准CMOS工艺将其与128kb的相变存储器实验芯片集成。相比传统的单一电流脉冲擦驱动电路,这种改进后的擦驱动电路能将相变存储单元的电阻均值从15kΩ左右降至7kΩ左右,并且存储阵列的阻值分布一致性也得到提升,最终能将128kb相变存储实验芯片的单元成品率提升至99%以上。Based on SET characteristics of phase change memory（PCM）,a write driver circuit,which was capable of generating step-down current pulse,was designed and integrated into a 128-kb experimental PCM chip using 130 nm standard CMOS technology.Compared to traditional single current pulse SET driver,the improved driving scheme could result in a sharp decrease in mean resistance of PCM array from 15 kΩ to 7 kΩ.Moreover,the uniformity of resistance distribution was also improved,and finally,bit yield of the 128-kb experimental PCM chip was raised to 99% and above.

关 键 词：相变存储器 非易失性存储器 电流阶梯波 擦驱动电路 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]