氮离子注入对番茄种子损伤研究初报  

Primary study of tomato seeds damaged by N ion implantation

作　　者：聂凡[1] 刘才宇[1] 陈静娴[1] 

机构地区：[1]安徽省农科院园艺研究所

出　　处：《安徽农业科学》1991年第3期280-282,共3页Journal of Anhui Agricultural Sciences

摘　　要：离子注入和伴随离子注入的其他物理效应都能影响番茄种子的电导率和发芽率.电导率和发芽率之间有一定相关性,两者都能反映种子的损伤.Ion implantation and its accompanying physical effects can affect theelectrical conductivity and the germinatien percentage of tomato seed. Both of themcan reflect the seed damage, because certain correlativity with electrical conduc-tivity and germination percentage have proved.

关 键 词：番茄 种子 离子注入 电导率 发芽率 

分 类 号：S641.203[农业科学—蔬菜学]