Memoir Systems:开创存储器变革新篇章  

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作  者:黄俏丹 

出  处:《电脑与电信》2012年第12期1-4,共4页Computer & Telecommunication

摘  要:当前,存储器发展的一个方向是朝着“利用新的物理规律,研发新的存储器结构”迈进,如相变存储器,电熔断存储器,阻抗存储器.磁性随机存储器MRAM等等,这一方向极人地丰富了现有存储器的种类,展现了繁多的存储器特色,但有两个缺陷是致命的:与CMOS工艺兼容性,生产效率。最近有一个新的趋势渐渐浮出水面,那就是算法存储器(Algorithmic Memory)。这是一种新的思路,

关 键 词:存储器结构 Systems 磁性随机存储器 革新 相变存储器 工艺兼容性 物理规律 MRAM 

分 类 号:TN929.5[电子电信—通信与信息系统]

 

参考文献:

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