介质膜电荷陷阱特性的雪崩注入法的技术改进——垫高电压  

作　　者：杨劲[1] 陈蒲生[2] 

机构地区：[1]机电部广州电器科学研究所,510641 [2]华南理工大学应用物理系,广州510641

出　　处：《半导体技术》1991年第4期49-52,共4页Semiconductor Technology

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文介绍在我们用于研究MOS、MIS结构介质膜电荷陷阱特性的雪崩注入法中的技术小改进——垫高电压。这一在原测试电路上十分简单的改进,可使我们原有测试系统探测到俘获截面小到10^(-1)_8cm^2的电子陷阱,且为介质膜的雪崩空穴注入提供了准确、便利和有效的技术手段。

关 键 词：介质膜 电荷陷阱 注入 垫高电压 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]