Ge-APD及InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD的暗电流-温度特性及其比较  

作　　者：丁国庆 

机构地区：[1]武汉电信器件公司

出　　处：《半导体技术》1991年第6期33-37,共5页Semiconductor Technology

摘　　要：1 前言 Ge-APD及InGaAs/InGaAsP/InPSAGM-APD都可以用来探测1.1～1.6μm的红外光。在长波长光纤通信系统中,需要波长为1.3～1.55μm的红外光探测器。在该光通信系统中,通过光纤入射到探测器光敏面的平均光功率一般在0.1μW～10μW范围。要探测这样微弱的光信号。

关 键 词：红外探测器 暗电流 Ge-APD 温度 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]