Si单晶的光学限制特性  

Optical limiting effect in Silicon

作　　者：田建国[1] 张春平[1] 张光寅[1] 

机构地区：[1]南开大学物理系,天津300072

出　　处：《Journal of Semiconductors》1991年第10期609-613,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：我们观察到了Si单晶对调 Q Nd:YAG的 1.06 μm脉冲激光的光学限制效应,并对其机理进行了分析.We observed the optical limiting effect in Silicon when 1.06μm pulse laser beam produ-ced by Q-switched Nd:YAG Laser passed through it.Mechanism of this phenomena is analy-sed.

关 键 词：硅单晶 脉冲激光 光学效应 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]