氧离子和氮离子共注入硅形成SOI结构的俄歇能谱研究  

Auger Electron Spectroscopic Studies of SOI Structure Formed by O^+ and N^+ Co-Implantation

作　　者：俞跃辉[1] 林成鲁[1] 邹世昌[1] 卢江[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室,上海200050 [2]中国科学技术大学结构分析开放研究实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》1991年第10期614-618,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文中研究了O^+(200keV,1.8 ×10^(18)cm^(-2))和 N^+(180keV,4 ×10^(17)cm^(-2))共注入Si形成 SOI(Silicon on Insulator)结构的界面及埋层的微观结构.俄歇能谱(AES)和光电子能谱(XPS)的测量和研究结果表明:O^+和N^+共注入的SOI结构在经1200℃,2h退火后,O^+和N^+共注入所形成的绝缘埋层是由SiO_2相和不饱和氧化硅态组成;在氧化硅埋层的两侧形成氮氧化硅薄层;表面硅-埋层的界面和埋层-体硅的界面的化学结构无明显差异.这些结果与红外吸收和离子背散射谱的分析结果相一致.对这种SOI结构界面与埋层的形成特征进行了分析讨论。The chemical composition and interface structure of silicon on insulator (SOI) formedby O^+ (200keV, 1.8×10^(18)cm^(-2))and N^+ (180keV, 4×10^(17)cm^(-2)) co-implantation and annea-led at 1200℃ for 2h have been investigated using Auger electron spectroscopy (AES) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The results show that the buried layer consists of sili-con dioxide and SiO_x (x<2) and the nitrogen segregates to the wings of the buried layer whereit forms an oxynitride.These results are agreement with the results of infrared absorption(IR) and Rutherford backscattering (RBS) analysis.The detailed explanation of the results isalso presented.

关 键 词：氧/氮 离子注入硅 SOI 俄歇能谱 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学]