非晶硅薄膜太阳电池的数值优化研究  

Study on optimization of amorphous silicon solar cell using Sentaurus TCAD

作　　者：曹全君[1,2] 李祖渠[2] 彭银生[2] 吴能友[1] 贾立新[2] 

机构地区：[1]中国科学院可再生能源与天然气水合物重点实验室,广东广州510640 [2]浙江工业大学信息工程学院,浙江杭州310023

出　　处：《电源技术》2013年第1期47-50,共4页Chinese Journal of Power Sources

基　　金：中国科学院可再生能源与天然气水合物重点实验室基金(0907K2)

摘　　要：基于Sentaurus TCAD数值分析平台,采用非晶硅的DOS模型对禁带中缺陷态进行表征,建立a-Si:H薄膜太阳电池的二维数值模型。对P-I-N结构的非晶硅太阳电池的本征区、P型区、N区以及P/I界面的特性进行研究,得到参数与薄膜太阳电池性能之间的关系。通过电池物理和结构参数的优化,在界面处引入ZnO作为反射层,优化得到太阳电池填充因子为74.7%,AM1.5下光电转换效率为10.1%,表明采用TCAD数值仿真可有效用于非晶硅太阳电池本征参数和反射层的优化设计,提高电池转换效率。Two-dimensional device modeling and simulation of hydrogenated amorphous silicon solar cell was presented by using Sentaurus TCAD simulator,and the effect of absorber layer,P doping layer,N doping layer and P/I interface properties on the optical-electrical parameters for amorphous silicon PIN solar cell were investigated.The optimization results were obtained,and a best efficiency with fill factor of 74.7% and efficiency of 10.1% in AM 1.5 were also obtained with ZnO as reflection layer.

关 键 词：非晶硅 太阳电池 TCAD 反射层 

分 类 号：TM914[电气工程—电力电子与电力传动]