化学清洗对硅-二氧化硅界面的影响  

作　　者：邹继鑫[1] 郭群英[1] 

机构地区：[1]中国兵器工业第214研究所

出　　处：《集成电路通讯》2000年第3期1-3,,18,,共4页

摘　　要：介绍了不同化学清洗方法对硅－二氧化硅界的影响。实验表明，采用ＮＨ４ＯＨ清洗后能明显降低硅－二氧化硅界的表面的电荷。文中还对如何设计Ｃ－Ｖ测试结构中的问题进行讨论。

关 键 词：化学清洗 C-V测试 硅 二氧化硅 界面 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学] TN304.21