退火对Ti离子注入LiNbO_3光波导的影响  

Effects of annealing on Ti-implantation LiNbO_3 optical waveguide

作　　者：刘大力[1] 李公羽 何晓东[1] 鲁平[2] 

机构地区：[1]长春邮电学院通信工程系,吉林长春130012 [2]中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春130021

出　　处：《长春邮电学院学报》2000年第2期5-7,共3页Journal of Changchun Post and Telecommunication Institute

基　　金：国家自然科学基金资助项目 !( 6950 80 0 5)

摘　　要：以高质量的 Li Nb O3 晶体为衬底 ,采用离子注入技术制备出低损耗的 Li Nb O3光波导。测试了其背散射谱 ,并对相应的结果做了分析 。Low loss LiNbO 3 optical waveguide fabricated by ion implantation technology on high quality LiNbO 3 crystal is reported, and its scattering spectrum is measured and analyzed. A feasible way is provided for solving transverse diffusion of optical waveguide.

关 键 词：离子注入 介质光波导 退火 

分 类 号：TN252[电子电信—物理电子学] TN814.6