新型功率混合集成电路材料——氮化铝  

作　　者：毛寒松[1] 王传声[1] 崔嵩[1] 

机构地区：[1]信息产业部电子第43研究所,合肥230022

出　　处：《电子元器件应用》2000年第7期23-25,36,共4页Electronic Component & Device Applications

摘　　要：1 前言长期以来,绝大多数功率混合集成电路的陶瓷封装材料一直沿用Al₂O₃,和BeO陶瓷,但由于性能、环保、成本等因素,已不能完全适合功率电子器件发展的需要,因此,一种综合性能优越的新型电子陶瓷—A1N陶瓷,无疑将成为传统Al₂O₃和BeO封装和基板的替代材料。 AIN是—种纤锌矿结构的Ⅲ—Ⅴ族合成化合物,于19世纪60年代被发现。尽管单晶AIN理论热导率达到320W/mK,单晶或多晶AIN因为晶格中隙入氧和金属杂质而使热导率降低很多。

关 键 词：氮化铝 功率混合集成电路 半导体材料 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]