YMnO_3薄膜的铁电性能及其应用  

Ferroelectric Properties and Applications of YMnO_3 Thin Films

作　　者：卢德新[1] 叶雪军[2] 刘卫忠[1] 徐则川[1] 

机构地区：[1]华中理工大学电子科学与技术系,武汉430074 [2]湖北商业高等专科学校电子系,武汉430074

出　　处：《压电与声光》2000年第3期186-189,共4页Piezoelectrics & Acoustooptics

基　　金：华中理工大学青年基金资助项目

摘　　要：对金属 -铁电体 -半导体场效应晶体管器件而言 ,具有六方晶系结构的稀土锰酸盐 ( Re Mn O3)是性能优良的薄膜材料 ,它们的介电常数低 ,仅仅只有单一的极化轴 ,没有挥发性的元素 Pb、Bi等。本文作者对 Re Mn O3材料的结构特征、制备方法及其铁电性能等进行了介绍 ,并指出存在的困难及其发展方向。For MFS(metal ferroelectric semiconductor)transistor devices,the hexagonal Re MnO 3( Re :rare earth elements)thin films are believed to be an excellent materials,because they have only one polarization axis,do not contain volatile elements such as Bi and Pb and have low dielectric permittivity.This paper reviews structural characteristics of the Re MnO 3 materials, Re MnO 3 thin films deposition and its ferroelectric characteristics.The current difficultes and developing trend in this field are also introduced.

关 键 词：稀土锰酸盐薄膜 场效应晶体管 铁电 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]