低能离子注入对Cu_xS薄膜组分的影响  

Modification of Cu_xS Thin Films by Low Energy Ion Beam Implantation

作　　者：郑建邦[1] 刘效增[1] 李成全[1] 曹猛[1] 李宁[1] 吴洪才[1] 

机构地区：[1]西安交通大学电信学院,陕西西安710049

出　　处：《半导体光电》2000年第3期199-202,共4页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目 !(19775 0 39)

摘　　要：采用N^+离子注入的方法 ,对气—固化学反应生成的CuxS薄膜进行了掺杂 ,研究了N+离子注入能量和剂量对Cu_xS薄膜组分的影响。结果表明 ,离子注入改变了CuxS薄膜铜与硫的比例 ,使薄膜组分更接近于富铜型 ,样品的X射线衍射图谱和透射光谱研究进一步证实了这种结构转变的存在。Cu_xS thin-films are implanted by low energy N + ion beam. The effect of the energy and dose of N + ion implantation on Cu_xS films is investigated. The results show that the ratio of copper and sulfur increases to some extent, the constituents of the film turn from rich sulfurous phase to rich copper phase after ion beam irradiation. X-ray diffraction spectrum and optical transmission spectra of the sample confirmed the results.

关 键 词：离子注入 CuxS薄膜 富铜型薄膜 组分 光电半导体 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学] TN304.055