高效率Ⅱ-Ⅵ族(CdS,CdSe,CdTe)量子点敏化太阳电池  

作　　者：虞晓云[1] 陈洪燕[1] 匡代彬[1] 

机构地区：[1]中山大学化学与化学工程学院

出　　处：《太阳能》2013年第1期22-26,51,共6页Solar Energy

摘　　要：简单总结了笔者研究组近三年在量子点敏化太阳电池方面的研究工作。通过发展一些简单可控的合成方法制备了一系列Ⅱ-Ⅵ族量子点敏化的高效率太阳电池。利用连接剂辅助化学浴沉积法,以巯基乙酸为连接剂一步水热制备了单分散CdTe/CdS或CdTe/CdS核壳结构量子点以及量子点敏化的TiO2电极,并分别获得了最高3.80%(CdTe/CdS)和2.83%(CdSe/CdS)的光电转换效率;利用旋涂法在氧化锌纳米线阵列表面依次沉积了CdS/CdSe量子点,并取得了3.45%的光电转换效率;首次利用原位电沉积法在由纳米棒和纳米颗粒共同组成的分等级TiO2微米球电极上直接沉积CdS及CdSe量子点,取得了4.8%的光电转换效率,并用强度调制光电流/光电压谱(IMPS/IMVS)对CdS、CdSe量子点敏化电池和CdS/CdSe量子点共敏化电池进行了动力学研究,该型电池的电子收集效率高达98%。

关 键 词：量子点敏化太阳电池 电沉积 化学浴沉积 II-VI族 动力学研究 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]