云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- II-VI族

II-VI族: 作品数：12被引量：29H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：张振宇郭东明沈悦张建成萨百晟更多>>; 相关机构：中国科学院上海大学大连理工大学合肥工业大学更多>>; 相关期刊：《半导体技术》《液晶与显示》《材料工程》《微电子学》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市科技新星计划上海市青年科技启明星计划更多>>

Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体理论研究进展: 《西部皮革》2016年第18期16-16,共1页孙燕刘苏王月影; II-VI族化合物半导体在发光材料、太阳电池、热红外探测、光电导探测器、薄膜场致发光显示器、光电子器和生物医学方面等方面具有广泛的应用。本文简单介绍了II-VI族化合物半导体的概念、结构特点、制备方法、研究进展等方面进行了阐述...; 关键词：II-VI族制备半导体

ZnSeTe薄膜的分子束外延生长被引量：1: 《半导体技术》2016年第6期461-466,共6页任敬川刘超崔利杰曾一平; 国家自然科学基金资助项目(61376058); 研究了用分子束外延设备在GaAs（001）衬底上异质外延生长ZnSeTe单晶薄膜材料的工艺技术。在VI族元素富集条件下,通过调节Se/Zn束流比,制备了全组分分布（x=0-1）的Zn SexTe1-x单晶薄膜样品。XRD分析结果显示外延生长的ZnSeTe薄膜样品...; 关键词：ZnSeTe 分子束外延(MBE) II-VI族半导体晶体质量电学性能

激光二极管直接抽运中红外固体激光材料综述被引量：6: 《激光与光电子学进展》2015年第2期1-21,共21页彭雅珮姜本学范金太袁新强张龙; 国家自然科学基金(61378069;51102257;51302284);上海市启明星计划(14QB1400900;14QB1402100); 利用激光二极管（LD）直接抽运稀土离子或过渡金属离子的方式产生中红外激光可以大幅度降低系统的复杂程度,提高效率。而找到合适的基质材料和离子能级结构是实现LD直接抽运产生中红外激光的关键。总结了相关研究进展和发展方向,主要包...; 关键词：激光器中红外固体激光器过渡金属离子稀土离子 II-VI族材料

离子注入对ZnTe:O中间带光伏材料的微观结构及光学特性的影响: 《物理学报》2014年第23期267-273,共7页甄康顾然叶建东顾书林任芳芳朱顺明黄时敏汤琨唐东明杨燚张荣郑有炓; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CB302003);国家自然科学基金(批准号:61025020;60990312;61274058;61322403;61271077;11104130;11104134);江苏省自然科学基金(批准号:BK2011437;BK2011556;BK20130013);江苏省高等学校优势学科发展项目;澳大利亚研究基金会创新项目(批准号:DP1096918)资助的课题~~; II-VI和III-V族高失配合金半导体是新型高效中间带太阳电池的优选材料体系,但中间带的形成及其能带调控等关键问题仍未得到有效解决.采用氧离子注入方式,在非平衡条件下对碲化锌(Zn Te)单晶材料实现了等电子掺杂,深入研究了离子注入对Zn...; 关键词：中间带离子注入高失配合金 II-VI族半导体

高效率Ⅱ-Ⅵ族(CdS,CdSe,CdTe)量子点敏化太阳电池被引量：2: 《太阳能》2013年第1期22-26,51,共6页虞晓云陈洪燕匡代彬; 简单总结了笔者研究组近三年在量子点敏化太阳电池方面的研究工作。通过发展一些简单可控的合成方法制备了一系列Ⅱ-Ⅵ族量子点敏化的高效率太阳电池。利用连接剂辅助化学浴沉积法,以巯基乙酸为连接剂一步水热制备了单分散CdTe/CdS或CdT...; 关键词：量子点敏化太阳电池电沉积化学浴沉积 II-VI族动力学研究

ZnCl_2掺杂n型ZnSe的分子束外延生长被引量：2: 《微电子学》2012年第6期881-884,共4页张家奇杨秋旻赵杰崔利杰刘超曾一平; 国家自然科学基金资助项目(60876004);北京市自然科学基金资助项目(2123065); 利用分子束外延(MBE)技术,以5N的ZnCl2作为掺杂源,在半绝缘GaAs(001)衬底上异质外延生长ZnSe∶Cl单晶薄膜。研究发现,掺入ZnCl2后,ZnSe外延层的结晶质量和表面形貌与本征ZnSe外延层相比变差,双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)的ZnSe(004)衍射峰...; 关键词：硒化锌 N型掺杂分子束外延 II-VI族化合物半导体

II-VI族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展被引量：2: 《材料工程》2011年第6期87-91,共5页郝建伟查钢强介万奇; 国家自然科学基金资助项目(50872111,50902113); 简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程。以II-VI族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响。以此为基础,综述了II-VI族化合物半导体量子阱、量子点等量...; 关键词：Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体量子结构激子效应量子尺寸效应

II-VI族硒化物半导体纳米材料的制备与形貌控制: 《中国科技信息》2007年第12期283-284,共2页高晓荣; 纳米硒化物作为一类重要的半导体纳米材料,在生物标记,太阳能电池,激光器等领域有着广泛的应用。本文综述了硒化物半导体纳米材料的制备与形貌控制方面的最新研究进展,介绍了硒化物纳米材料的各种制备方法,并对各种制备方法及其特点,反...; 关键词：Ⅱ-Ⅵ族半导体硒化物胶体化学法气相沉积法

宽带II-VI族磁性半导体的铁磁特性研究: 《光机电信息》2006年第7期38-43,共6页张吉英李炳生申德振吕有明姚彬赵东旭张振中李炳辉范希武; 国家自然科学基金资助项目:No50402016;No60501025;国家重点基金资助项目:No60336020。; 自旋电子学是凝聚磁学与微电子学的桥梁,从而将磁器件与微电子器件联系起来,而半导体自旋电子学是在自旋电子学基础上发展起来的一门新兴学科。近年来,由于磁性半导体的铁磁特性及磁光特性的研究迅速发展,使半导体自旋电子学的研究成为...; 关键词：宽带Ⅱ-Ⅵ族磁性半导体磁隧穿结铁磁特性

纳米级的一维II-VI族化合物的合成及其电子结构研究(英文)被引量：1: 《光散射学报》2005年第3期307-308,共2页S. K. Hark; Various single crystalline IIB-VIA one-dimensional nanostructures have been fabricated using thermal evaporation. Although these nanostructures possess large amount of unpassivated surface, it does not lead to dissoci...; 关键词：Ⅱ-Ⅵ族化合物纳米技术电子结构晶体结构热量蒸发激发子分裂

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