ZnCl_2掺杂n型ZnSe的分子束外延生长  

Molecular Beam Epitaxy of Cl-Doped ZnSe on GaAs(001) Substrates

作　　者：张家奇[1] 杨秋旻[1] 赵杰[1] 崔利杰[1] 刘超[1] 曾一平[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所材料科学中心,北京100083

出　　处：《微电子学》2012年第6期881-884,共4页Microelectronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60876004);北京市自然科学基金资助项目(2123065)

摘　　要：利用分子束外延(MBE)技术,以5N的ZnCl2作为掺杂源,在半绝缘GaAs(001)衬底上异质外延生长ZnSe∶Cl单晶薄膜。研究发现,掺入ZnCl2后,ZnSe外延层的结晶质量和表面形貌与本征ZnSe外延层相比变差,双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)的ZnSe(004)衍射峰半峰宽(FWHM)从432arcsec增大到529arcsec,表面均方根粗糙度(RMS)从3.00nm增大到3.70nm。当ZnCl2掺杂源炉的温度为170℃时,ZnSe样品的载流子浓度达到1.238×1019 cm-3,可以满足结型器件制作和隧道结材料设计的要求。N-type ZnSe layers grown on GaAs （001） substrates by molecular beam epitaxy using ZnC12 （5N） as doping material were studied. It was found that the crystalline quality and surface morphology of ZnSe layers deteriorated with increasing ZnC12 cell temperature. The full-width at half-maximum （FWHM） of double-crystal X-ray rocking curve （I）CXRC） for ZnSe （004） reflection rose from 432 arcsec to 529 arcsec, and surface RMS roughness also increased from 3.00 nm to 3. 70 nm. Carrier concentration of ZnSe samples reached 1. 238 X 1019 crn-a when ZnC12 cell temperature was 170 C, which met the requirement of materials for fabricating junction devices or tunnel junction material engineering.

关 键 词：硒化锌 N型掺杂 分子束外延 II-VI族化合物半导体 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学]