II-VI族化合物半导体

作品数：1被引量：2H指数：1
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ZnCl_2掺杂n型ZnSe的分子束外延生长被引量：2
《微电子学》2012年第6期881-884,共4页张家奇 杨秋旻 赵杰 崔利杰 刘超 曾一平 
国家自然科学基金资助项目(60876004);北京市自然科学基金资助项目(2123065)
利用分子束外延(MBE)技术,以5N的ZnCl2作为掺杂源,在半绝缘GaAs(001)衬底上异质外延生长ZnSe∶Cl单晶薄膜。研究发现,掺入ZnCl2后,ZnSe外延层的结晶质量和表面形貌与本征ZnSe外延层相比变差,双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)的ZnSe(004)衍射峰...
关键词：硒化锌 N型掺杂 分子束外延 II-VI族化合物半导体 
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