II-VI族半导体

作品数：3被引量：1H指数：0
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相关作者：王敏乔双双任敬川崔利杰刘超更多>>
相关机构：中国科学院合肥工业大学苏州大学大连理工大学更多>>
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ZnSeTe薄膜的分子束外延生长被引量：1
《半导体技术》2016年第6期461-466,共6页任敬川 刘超 崔利杰 曾一平 
国家自然科学基金资助项目(61376058)
研究了用分子束外延设备在GaAs（001）衬底上异质外延生长ZnSeTe单晶薄膜材料的工艺技术。在VI族元素富集条件下,通过调节Se/Zn束流比,制备了全组分分布（x=0-1）的Zn SexTe1-x单晶薄膜样品。XRD分析结果显示外延生长的ZnSeTe薄膜样品...
关键词：ZnSeTe 分子束外延(MBE) II-VI族半导体 晶体质量 电学性能 
离子注入对ZnTe:O中间带光伏材料的微观结构及光学特性的影响
《物理学报》2014年第23期267-273,共7页甄康 顾然 叶建东 顾书林 任芳芳 朱顺明 黄时敏 汤琨 唐东明 杨燚 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CB302003);国家自然科学基金(批准号:61025020;60990312;61274058;61322403;61271077;11104130;11104134);江苏省自然科学基金(批准号:BK2011437;BK2011556;BK20130013);江苏省高等学校优势学科发展项目;澳大利亚研究基金会创新项目(批准号:DP1096918)资助的课题~~
II-VI和III-V族高失配合金半导体是新型高效中间带太阳电池的优选材料体系,但中间带的形成及其能带调控等关键问题仍未得到有效解决.采用氧离子注入方式,在非平衡条件下对碲化锌(Zn Te)单晶材料实现了等电子掺杂,深入研究了离子注入对Zn...
关键词：中间带 离子注入 高失配合金 II-VI族半导体 
Cd掺杂Zn0阵列纳米梳子
《零陵学院学报》2004年第6期53-57,共5页周少敏 
this project was financially supprted by the Chinesc.Academy of Sciences(CAS),P.R.China,CAS-Croucher Funding Schemne for Joint Laboratories;China Posdoctoral.Science Foundation(No.2004035111).
作者采用Zn+Cd粉,制得了大量阵列Cd掺杂ZnO纳米梳子。这些纳米梳子通过X-射线衍射仪(XRD)、X-射线光电子能谱仪(XPS)、透射电子显微镜(TEM)、X-射线能量损失谱仪(EDS)、选区电子衍射仪(SAED)及高分辨透射电子显微镜(HRTEM)来分析其形貌...
关键词：II-VI族半导体 Cd掺杂 纳米结构 ZnO阵列 
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