中科院微电子所22纳米CMOS工艺研发取得突破  

出　　处：《自动化信息》2013年第1期80-80,共1页Automation Information

摘　　要：近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22纳米CMOS关键技术先导研发上取得突破性进展，在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进的高Ⅺ金属栅模块的22纳米栅长MOSFETs，器件性能表现良好。22纳米CMOS技术是全球正在研究开发的最新一代集成电路制造工艺，各国都投入了巨大资金力争抢占技术制高点：Intel开发的基于三栅器件结构的处理器已于近期实现量产；

关 键 词：中科院 微电子所 22nm CMOS工艺 

分 类 号：TN929.11[电子电信—通信与信息系统]