高灵敏度铂薄膜热敏电阻器精细刻蚀技术研究  

Fine etching technology research on platinum thin-film thermistor with high sensitivity

作　　者：姜国光[1] 王震[1] 张洪泉 王大兴[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十九研究所,黑龙江哈尔滨150001 [2]哈尔滨工程大学材料科学与化学工程学院,黑龙江哈尔滨150001

出　　处：《传感器与微系统》2013年第3期53-55,58,共4页Transducer and Microsystem Technologies

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60971020);国家高技术研究发展计划项目(2006AA040101)

摘　　要：为了提高铂薄膜热敏电阻器的灵敏度,设计一种标称阻值为5000Ω的超细阻栅结构。通过对高精度干法刻蚀技术研究,解决了传统激光刻蚀和反应离子刻蚀不能加工高质量精细线条的技术问题,实现7μm特征铂电阻条尺寸的加工。测试和分析表明:铂薄膜热敏电阻器在0℃下标称阻值为5 000±1.0Ω,灵敏度为19±0.5Ω/℃,温度系数为(3850±12)×10-6/℃。A ultra fine resistance grating structure with 5 000 Ω nominal resistance is designed to improve the sensitivity of the platinum thin-film thermistor. Based on the study of high precision dry etching technology, the technical problem that high quality fine lines can not be processed by traditional laser etching and reactive ion etching is solved and the processing of 7 μm characteristic size of platinum resistance lines is realized. Test and analysis show that the nominal resistance of platinum thermistor is 5 000 ---1.0 Ω at 0 ℃ , the sensitivity is 19 ± 0.5 Ω/℃, the temperature coefficient is（3 850 ±12 ） x 10^-6/℃.

关 键 词：热敏电阻器 刻蚀技术 灵敏度 标称阻值 温度系数 

分 类 号：TP212.1[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]