GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱能级结构设计与光谱分析  

DESIGN AND MEASUREMENT OF GaAs/AlGaAs QUANTUM WELL STRUCTURE

作　　者：李娜[1] 袁先漳[1] 李宁[1] 陆卫[1] 李志峰[1] 窦红飞[1] 沈学础[1] 金莉[2] 李宏伟[2] 周均铭[2] 黄绮[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海200083 [2]中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《物理学报》2000年第4期797-801,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：973项目!<光电功能晶体结构性能;分子设计;微结构设计与制备过程的研究>资助的课题&&

摘　　要：通过理论计算对用于量子阱红外探测器的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构进行模拟设计 ,将不同生长结构的量子阱材料的光响应谱和光致荧光谱 (PL)与计算结果进行比较 .说明量子阱生长结构与量子阱能级结构的关系 .欲使量子阱红外探测器的响应峰值在 8μm附近 ,则需量子阱结构中阱宽为 4 7nm ,垒中Al含量为 0 2 9.理论计算与测试结果符合得较好 .In this paper, we describe the energy levels of GaAs/AlGaAs quantum well structure used in quantum well Infrared photodetector (QWIP). The photoresponse and photoluminescent spectrum of quantum well material were measured. The experiment and simulation show that the width of the well and the Al molar ratio of QWIP should be 4\^7nm and 0\^29, separately, if the peak wavelength of QWIP is expected to be at 8?μm.

关 键 词：砷化镓 能级结构 光谱 量子阱 红外探测器 

分 类 号：O471[理学—半导体物理]