等离子体氮化和a—C：H：Si连续沉积的双涂层  

作　　者：乐天 

出　　处：《等离子体应用技术快报》2000年第6期21-22,共2页

关 键 词：等离子体氮化 含硅氢化物薄膜 连续沉积 双涂层 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]