用择优腐蚀技术制作MMI型GaAs光功率分配器  

Optical multi-mode interference power splitter in GaAs fabricated by preferential etching

作　　者：马慧莲[1] 杨建义[1] 李瑾[1] 王明华[1] 

机构地区：[1]浙江大学信息与电子工程学系光电子研究室,浙江杭州310027

出　　处：《光通信研究》2000年第5期50-53,62,共5页Study on Optical Communications

摘　　要：通过对器件结构进行优化设计和择优腐蚀技术 ,用 H3 PO4 - H2 O2 - H2 O系腐蚀液制作了能直接与单模光纤阵列相耦合的 MMI型 Ga As1× 4光功率分配器 .最后用 1 .3 μm波长的He- Ne激光进行了测试 ,发现该器件基本实现了功率均分要求 ,功率离散度为 0 .1 55d B.A multi-mode interference (MMI) GaAs 1×4 optical p ower splitter that can be directly coupled with single mode fiber array was fabr icated through optimized structure design and preferential etching. The 1.3 μm He-Ne laser measurement indicated that the device has basically realized the re quirement of uniform power splitting, the power imbalance is 0.155 dB.

关 键 词：GAAS 择优腐蚀 MMI型 光功率分配器 光通信 

分 类 号：TN929.1[电子电信—通信与信息系统]