非带隙低功耗低温漂CMOS电压基准电路设计  

Design forLow Power Low Temperature Coefficient CMOS Voltage Reference Circuit

作　　者：田京辉[1,2] 黄其煜[1] 

机构地区：[1]上海交通大学微电子学院,上海200030 [2]中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,上海201203

出　　处：《微电子学与计算机》2013年第5期35-37,42,共4页Microelectronics & Computer

摘　　要：通过V_(th)与V_T(热电压)相互补偿原理,提出一种新型非带隙CMOS电压基准源,其输出基准电压具有极低温度系数.采用0.34μm Foundry18工艺模型和Candance Spectre EDA工具对电路进行模拟验证,获得以下结果:输出电压为552.845mV(T=27℃,V_(DD)=3.3V),温度系数为1.98ppm/℃(-30℃～+130℃),功耗为21.85μw.电源电压从2.5V变到4.5V,输出电压的变化为0.15%(相对于V_(DD)=3.3V时的输出).该电压基准源可望应用于高精度、低功耗IC系统的设计研发.This paper presents a pure CMOS voltage circuit with compensation of VT （thermal voltage） and Wth （threshold voltage）. Candance Spectre simulation with 0.34μm_Foundry18 process reports TC （temperature coefficient） is 1.98ppm/℃（-30℃～＋130℃） and voltage （VDD） sensitivity of 0. 15% （VDD=2. 5V-4. 5V）. The output reference voltage is 552. 845mV （T=27℃ ,VDD=3.3V）. The dissipation is 21.85μw with VDD=3. 3V.

关 键 词：非带隙 低功耗 阈值电压 CMOS电压基准 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]