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出 处:《功能材料与器件学报》2000年第3期208-211,共4页Journal of Functional Materials and Devices
摘 要:介绍一种GaAs单片超高速模拟开关IC的设计和制备。电路设计采用了独特的开关管导通时栅-源电压跟随和开关管关断时栅-源电压箝位的电路,使开关获得良好的线性和3ns的开启和关断超高速特性,满足了毫微秒脉冲相关信号的处理要求。In this paper, design and fabrication of the GaAs monolithic super- speed analog switches are presented. Good linear and super- speed performance with 3ns turn- on and 3ns turn- off are obtained by uniquely using gate- source voltage tracking circuit and clamping circuit in the design. The IC satisfies the requirement of dealing correlation nanosecond pulse.
分 类 号:TN43[电子电信—微电子学与固体电子学]
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