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出 处:《电子器件》2013年第2期252-255,共4页Chinese Journal of Electron Devices
摘 要:在DC-DC转换器芯片设计中,用于产生参考电压的带隙基准精度直接影响芯片的控制精度,设计了一种用于低压型DC-DC转换器芯片内的基准电路。电路基于BJT的Widler型电压基准基本原理,经过理论分析和仿真模拟,采用东部BD0.35μm BCD工艺流片成功。在-40℃~160℃温度范围条件下进行仿真,当VIN=4.75 V,-25℃~160℃的温度系数是22×10-6/℃,低频下PSRR为-57.37 dB。电源电压从7.5 V~18 V的变化范围内,基准输出变化了0.03 mV/V。整个带隙基准电压源具有好的综合性能。The precision of bandgap voltage reference is vital to DC-DC converter design,so a high-precision bandgap reference source for Buck DC-DC converters is presented.Circuit is based on BJT Widler voltage reference principle.After theoretical analysis and simulation,the circuit was fabricated in BD 0.35 μm process.In the-40 ℃-160 ℃ temperature range under the conditions of the simulation,when the VIN=4.75 V,-25 ℃-160 ℃ temperature coefficient is 22×10-6/ ℃,low frequency PSRR-57.37 dB.Operating supply power from 7.5 V to 18 V,the circuit variation rate is of 0.03 mV/V,so the proposed BGR has a good performance.
关 键 词:降压型DC-DC转换器 CMOS带隙基准源 BCD工艺 温度系数
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