CMOS带隙基准源

作品数：58被引量：185H指数：7
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：王宇星杨银堂蔡伟王宗民陆铁军更多>>
相关机构：西安电子科技大学电子科技大学清华大学东南大学更多>>
相关期刊：《集成电路应用》《微纳电子技术》《电子器件》《电子与信息学报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金军事电子预研基金北京市科技计划项目湖南省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
一种面向生物医疗传感的电压型CMOS带隙基准源电被引量：1
《微电子学与计算机》2023年第9期83-89,共7页刘凌雁 高同强 蔡刚 黄志洪 宋柄含 杨伟华 徐天睿 
国家自然科学基金(61704173)。
基于生物医疗芯片中植入式神经刺激器的应用需求,提出了一种基于BCD工艺的电压型CMOS带隙基准源电路.针对植入式芯片供电电压变化大的特点,在传统widlar电流源结构基础上,引入了二级运放输出反馈,为运放本身、带隙核心电路以及测温前端...
关键词：温漂系数 电源抑制比 线性调整率 
一种二阶曲率补偿的可调CMOS带隙基准源设计被引量：1
《集成电路应用》2023年第5期8-10,共3页李倩 苟冠鹏 陈慧宁 
阐述采用0.18μm SiGe工艺的器件模型设计,在Spectre工具下进行仿真,3.3V供电在-40~+85℃温度范围内变化时,一阶温度补偿带隙基准电压的温度系数为12.8ppm/℃,经过二阶曲率补偿后该带隙基准电压的温度系数减小为0.8ppm/℃。通过在输出...
关键词：带隙基准 二阶补偿 输出可调 温度系数 
一种用于高精度DAC的实用型CMOS带隙基准源被引量：6
《电子技术应用》2018年第2期16-19,共4页奉伟 施娟 翟江辉 郭栋 
国家自然科学基金项目(11362005)
为了满足一种高速、高精度DAC的设计要求。通过带隙基准电压源的基本设计原理,设计了一种实用型的基准电压源,获得了一个快速启动、高稳定性的电压基准电路。基于40 nm的CMOS标准工艺并用cadence软件进行了后仿真,仿真结果表明在室温下...
关键词：DA转换器 基准电压源 温度系数 电压抑制比 
电流模式的高阶曲率补偿CMOS带隙基准源被引量：1
《微型机与应用》2017年第24期16-18,21,共4页张普杰 王卫东 李耀臻 
因为传统的带隙电压基准源只经过了一阶温度补偿,且输出电压只能在1.2 V左右,所以为了得到一个可调的、更高精度的电压基准源,提出了电流模式的带隙电压基准源电路。电路采用了高阶曲率补偿方法,且输出的基准电压可根据输出电阻的大小...
关键词：带隙电压基准源 高阶曲率补偿 温度系数 电压抑制比 
低功耗双带隙结构的CMOS带隙基准源被引量：4
《湖南大学学报（自然科学版）》2017年第8期124-130,共7页肖璟博 陈敏 张成彬 刘云超 陈杰 
国家重点基础研究发展规划项目(973项目)(2015CB352103)~~
随着片上系统的发展,带隙基准源精度和功耗的要求也越来越高.目前的高阶温度补偿方法在工艺兼容、设计复杂度和功耗上还存在一定的局限性.本文推导了一个新颖的电流模带隙基准电路在饱和区工作时的温度特性,并结合双带隙结构在输出支路...
关键词：带隙基准电压源 曲率补偿 温度系数 低功耗 
一种宽温范围高稳定CMOS带隙基准源被引量：1
《微电子学》2016年第6期736-739,745,共5页冯春燕 翟江辉 李海鸥 郭建 杨年炯 李琦 
广西自然科学基金资助项目(2013GXNSFAA019335);桂林电子科技大学研究生教育创新计划资助项目(2016YJCX74);广西汽车零部件与整车技术重点实验室开放课题(2014KFMS04);广西无线带宽通信与信号处理重点实验室(GXKL061505)
在传统带隙基准源的基础上,设计了一种在极宽温度范围内具有高温度稳定性的CMOS带隙基准电路。该电路将三极管的集电极置于负反馈环路中,以避免三极管基极分流对集电极电位的影响,实现温度补偿。通过采用低电源抑制比(PSRR)的差分运放,...
关键词：带隙基准源 宽温度范围 高温度稳定性 负反馈 胎压监测 
基于ΔV_(GS)高阶温度补偿的高精度CMOS带隙基准源被引量：1
《电子器件》2016年第3期526-530,共5页陈培腾 王卫东 黎官华 
利用两个工作在亚阈区的MOS管的栅源电压差ΔVGS产生高阶补偿量,对传统的BJT带隙基准源进行高阶温度补偿。设计一种基于ΔVGS高阶温度补偿的高精度CMOS带隙基准。电路基于CSMC 0.5μm标准CMOS工艺设计,仿真结果表明:在5 V电源电压下,基...
关键词：带隙基准(BGR Bandgap Reference) 亚阈区 低温度系数 
一种极低功耗自偏置CMOS带隙基准源被引量：1
《电子世界》2015年第23期67-69,共3页吕阳 王春雷 朱杰 邱成军 
基于CMSC 0.18um CMOS工艺,设计了一种自偏置结构带隙基准源,利用自偏置结构能够省略启动电路。所有MOS管工作在亚阈值范围,电路总功耗能够降低到n A级。利用华大九天Aether软件验证平台,仿真结果表明,电路最低工作电源电压为0.8V,在-40...
关键词：带隙基准源 低功耗 自偏置 
一种带曲率补偿的CMOS带隙基准源被引量：3
《电子元件与材料》2015年第5期50-53,共4页贾孜涵 冯全源 庄圣贤 
国家自然科学基金资助项目(N0.61271090);四川科技支撑计划项目资助(No.2015GZ0103)
设计了一种基于UMC 0.25μm BCD工艺的带隙基准电路。采用放大器钳位的传统实现方式,运用自偏置启动电路,鉴于对温漂的要求选用了二阶补偿电路。HSPICE仿真结果显示:在5.0 V供电电压下,温度在–40^+125℃变化时,基准输出1.196 2 V,波动...
关键词：带隙基准源 曲率补偿 温度系数 电源抑制比 线性调整率 低温漂 
基于PFM控制Boost型DC-DC变换器的带隙基准源
《半导体技术》2014年第10期737-742,共6页王宇星 朱波 
基于带隙基准源的基本原理,设计一种应用于PFM控制升压型DC-DC转换芯片的高精度、低功耗、低电压带隙基准电压源,包含带隙基准主电路和输出偏置电压电路。采用韩国Dongbu 0.35μm BCD工艺进行仿真分析并且流片成功。经过理论分析和仿真...
关键词：CMOS带隙基准源 BCD工艺 温度系数(TC) 升压型DC-DC转换器 电源抑制比(PSRR) 
全选清除导出
共6页<123456>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部