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作 者:李倩 苟冠鹏 陈慧宁 LI Qian;GOU Guanpeng;CHEN Huining(Chengdu CORPRO Technology Co.,Ltd.,Sichuan 610041,China)
出 处:《集成电路应用》2023年第5期8-10,共3页Application of IC
摘 要:阐述采用0.18μm SiGe工艺的器件模型设计,在Spectre工具下进行仿真,3.3V供电在-40~+85℃温度范围内变化时,一阶温度补偿带隙基准电压的温度系数为12.8ppm/℃,经过二阶曲率补偿后该带隙基准电压的温度系数减小为0.8ppm/℃。通过在输出基准电压电路中增加一个接地电阻,可以实现对基准电压输出可调。This paper introduces that design uses 0.18μm SiGe process device model and simulates it under the Spectre tool.Under 3.3V Power supply,when the temperature changes in the range of-40℃to+85℃,the temperature coefficient of the first-order temperature compensation bandgap reference voltage is 12.8ppm/℃,after the second-order curvature compensation,the temperature coefficient of the reference voltage is reduced to 0.8ppm/℃.The refernce voltage output can be adjusted by adding a resistor connected to ground in the output reference voltage circuit.
分 类 号:TN0-4[电子电信—物理电子学]
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