Xe离子注入后聚酰亚胺结构与电学性质的变化  

Structural and Electrical Properties Changes of Polyimide by Xe Ions Implantion

作　　者：丁斌峰[1] 李永平[1] 韩丽君[1] 

机构地区：[1]廊坊师范学院物理与电子信息学院,河北廊坊065000

出　　处：《河北师范大学学报（自然科学版）》2013年第3期258-263,共6页Journal of Hebei Normal University：Natural Science

基　　金：国家自然科学基金(50802041;50872050);国家重点基础研究发展计划(973)(2011CB831524);廊坊市科技局自筹资金(2009013056);廊坊师范学院2011年度重点项目(LSZZ201101)

摘　　要：用Xe离子注入聚酰亚胺改变其电学性能.采用高阻测试仪及霍耳效应测量仪测定了注入后样品的表面电阻率随剂量以及温度的变化,用Mott方程对电阻率-温度曲线进行了拟合,最后用卢瑟福背散射等实验手段对其结构变化进行了研究.结果表明,注入后样品的表面电阻率大幅降低,且在注入剂量为50P.ions/cm2时达到最小,Mott方程拟合结果表明样品的注入层是三维的导电层.Xenon （Xe） ions are implanted into the polyimide film to modify its electrical properties. The effect of the test temperature and Xe ions implantation dose on the surface resistivity of the polyimide film are studied. The results show that the relationship between the surface resistivity and the test temperature fitted the Mott＇s equation very well,which indicates that the conducting layer in the modified samples is three dimensions. The surface resistivity of polyimide film decreases dramatically and reaches its minimum value at the implantation dose of 50 P · ions/cm2.

关 键 词：高分子材料 离子注入 表面改性 

分 类 号：O448[理学—电磁学]