基于双面研磨轨迹优化的LED用SiC衬底加工  

Machining for SiC substrates used for LED based on dual-iapping trace optimizations

作　　者：臧跃[1,2] 周海[2] 徐晓明[2,3] 卓志国[2,3] 

机构地区：[1]盐城工学院,盐城224051 [2]江苏大学,镇江212013 [3]常州大学,常州213016

出　　处：《制造业自动化》2013年第10期36-37,41,共3页Manufacturing Automation

基　　金：江苏省自然科学基金项目(BK2008197);江苏省高校科研成果产业化推进项目(JH10-X048);江苏省"青蓝工程";江苏省新型环保重点实验室开放课题基金(AE201120);江苏省生态环境材料重点建设实验室开放课题资助(EML2012013);国际科技合作聘专重点项目的资助

摘　　要：本文研究了基于双面研磨轨迹优化的LED用SiC衬底加工方法。为了实现对碳化硅衬底的高效低损伤研磨加工,对碳化硅衬底的行星机构双面研磨轨迹进行了优化。通过选择适当的加工参数,使工件处于摆线中间的环带部分,将有助于对工件进行均匀研磨并提高材料去除率。实验表明:采用320号碳化硼磨料双面研磨碳化硅衬底90min后,可以获得Ra为0.579μm;材料去除率达到1.53μm/min。

关 键 词：双面研磨轨迹优化 碳化硅衬底 均匀性 材料去除率 

分 类 号：TH162[机械工程—机械制造及自动化]