应变Si/(101)Si_xGe_(1-x)空穴迁移率  

Hole mobility of strained Si/(101)Si_xGe_(1-x)

作　　者：赵丽霞[1] 张鹤鸣[1] 戴显英[1] 宣荣喜[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西西安710071

出　　处：《西安电子科技大学学报》2013年第3期121-125,共5页Journal of Xidian University

基　　金：教育部博士点基金资助项目(JY0300122503);中央高校基本业务费资助项目(K5051225014;K5051225004);陕西省自然科学基础研究计划资助项目(2010JQ8008)

摘　　要：采用kp微扰理论,基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论,对(101)晶面双轴应变Si材料应力致迁移率增强机理进行了系统深入的研究.结果表明:双轴应变Si(101)材料高对称晶向空穴迁移率在应力作用下均有明显增强,其空穴统观迁移率与未应变Si材料相比,最多提高约2倍.文中所得量化模型可为应变Si材料物理的深入理解及应变材料、器件的研究与设计提供有价值的参考.The hole mobility enhancement mechanism in the strained Si（101） is studied on the basis of the Fermi Golden rule with the frame of the kp perturbation theory . The results obtained from our calculation show that the hole mobilities in high symmetry oriented directions in the strained Si（101） can be greatly enhanced under strain and that its averaged mobility increases about 2 times at most in comparison with that of the unstrained Si. The results can provide a valuable reference for the understanding of the strained Si- based device physics and its design.

关 键 词：应变SI 各向异性 迁移率 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]