基于Franz-Keldysh效应的倏逝波锗硅电吸收调制器设计  

Design of an evanescent-coupled GeSi electro-absorption modulator based on Franz-Keldysh effect

作　　者：李亚明[1] 刘智[1] 薛春来[1] 李传波[1] 成步文[1] 王启明[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083

出　　处：《物理学报》2013年第11期288-292,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:61036003;61176013;60906035;61177038);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA010302)资助的课题~~

摘　　要：本文设计了一种基于Franz-Keldysh(FK)效应的GeSi电吸收调制器.调制器集成了脊形硅单模波导.光由脊形硅波导以倏逝波形式耦合进锗硅吸收层.在硅基锗二极管FK效应实验测试的基础上,有源区调制层锗硅中的硅组分设计为1.19%,从而使得器件工作在C(1528—1560nm)波段.模拟结果显示该调制器的3dB带宽可达64GHz,消光比为8.8dB,而插损仅为2.7dB.We present a novel GeSi electro-absorption （EA） modulator design on a silicon-on-insulator platform. The GeSi EA modulator is constructed based on the Franz-Keldysh （FK） effect. The light is evanescent-coupled into the GeSi absorption layer from the rib Si waveguide. A contnet of 1.19% Si in SiGe absorption layer is chosen for C （1528-1560 nm） band operation. Simulation shows a high （3 dB） bandwidth of - 64 GHz and extinction ratio of 8.8 dB. Especially the insertion loss is as low as 2.7 dB.

关 键 词：锗硅 调制器 电光集成 

分 类 号：TN761[电子电信—电路与系统]