恩智浦Gen8＋LDMOSRF功率晶体管推动TD-LTE通讯变革  

出　　处：《中国集成电路》2013年第7期6-6,共1页China lntegrated Circuit

摘　　要：恩智浦半导体（NXPSemiconductorsN．V．）近13宣布推出伞新Gen8＋LDMOSRF功率晶体管，BLC8（）27¨～16（）AV是即将发布的第一款Gen8＋器件，用于有源天线户外基站（2．6GHz）的15w和20w功率放大器。该设备可同时支持多达5个TD—LTE载波，并提供覆盖全波段（2．5至2．7GHz）的高效率。

关 键 词：RF功率晶体管 通讯 功率放大器 有源天线 半导体 LTE 全波段 器件 

分 类 号：TN305.94[电子电信—物理电子学]