1～2GHz宽带GaN功率放大器的设计与实现  

Design and Implementation of a 1-2 GHz Wideband GaN Power Amplifier

作　　者：谢晓峰[1,2] 肖仕伟[1] 沈川[1] 

机构地区：[1]中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621900 [2]中国工程物理研究院研究生部,北京100084

出　　处：《微电子学》2013年第3期325-328,共4页Microelectronics

摘　　要：针对GaN HEMT的自身特性,采用电抗匹配放大器结构,基于ADS谐波平衡仿真软件,设计了一个1～2GHz宽带功率放大器。设计采用Cree公司提供的CGH400系列GaNHEMT大信号模型,并用混合集成电路工艺实现了功率放大器。测试结果显示,功率放大器在1～2GHz频带内,饱和输出功率大于40.2dBm,小信号增益大于14dB,最大PAE大于70%。Based on GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）,a 1-2 GHz wideband power amplifier was designed using reactive matching networks,with Agilent＇s Advanced Design System（ADS） as an efficient tool.The power amplifier was designed with Cree＇s GaN HEMT large signal model,and implemented in hybrid IC process technology.Test results showed that the power amplifier had a saturated power above 40.2 dBm,a small signal gain over 14 dB and a peak PAE above 70 % in 1-2 GHz frequency band.

关 键 词：氮化镓 功率放大器 宽带 电抗匹配 

分 类 号：TN722[电子电信—电路与系统]