液相脉冲放电制备β-SiC纳米颗粒及其光致发光  

Preparation of β-SiC Nanoparticles by Electric-pulse Discharge in Liquid-phase and Its Photoluminescence

作　　者：杜凯[1] 魏荣慧[1] 魏世忠[2] 杨海滨[3] 

机构地区：[1]河南科技大学物理与工程学院 [2]河南科技大学河南省耐磨材料工程技术研究中心,河南洛阳471023 [3]吉林大学超硬材料国家重点实验室,吉林长春130012

出　　处：《河南科技大学学报（自然科学版）》2013年第5期15-18,5,共4页Journal of Henan University of Science And Technology:Natural Science

基　　金：国家自然科学基金项目(11204066;51171060);河南科技大学2011年度科学研究基金项目(2012ZCX011);河南科技大学青年科学基金项目(2009QN0035);2012年度大学生研究训练计划(SRTP)项目(2012142)

摘　　要：采用脉冲放电法在六甲基二硅烷液体中放电制备得到β-SiC纳米颗粒,研究了空气气氛中退火样品的光致发光谱与退火温度的关系。在室温下观察到400nm和470 nm的发光峰。讨论了相关的光致发光性质和可能的内在机理。400nm峰可能是源自于β-SiC纳米颗粒表面的原子过量缺陷中心,而470nm峰则认为与在β-SiC纳米晶和无定形SiO2界面处的缺陷有关。β-SiC nanoparticles were prepared by electric pulses discharge (EPD) in Hexamethyl disilane (HD) . Evolution of photoluminescence (PL) from the samples with air-annealing was studied. Photoluminescence peaks centered at 400 nm and 470 nm were observed at room temperature. The corresponding PL properties and possible mechanisms were discussed. The 400 nm peak may be resulted from the atom excess defect center at the surfaces of β-SiC nanocrystallites,while the 470 nm peak is believed to be related to the defects created in the interface boundary between β-SiC nanocrystallites and amorphous SiO 2 .

关 键 词：纳米结构 SIC 半导体 光致发光 

分 类 号：O469[理学—凝聚态物理]