纳米硅量子点的自然形成及其发光特性  

The Photoluminescence Properties of Self assembled and Nano sized Silicon Quantum Dots

作　　者：高文秀[1] 陈松岩[1] 刘宝林[1] 黄美纯[1] 陈小红[1] 杨祖慎[2] 

机构地区：[1]厦门大学物理系,361005 [2]新疆大学物理系,乌鲁木齐830046

出　　处：《固体电子学研究与进展》2000年第3期264-269,共6页Research & Progress of SSE

基　　金：福建省自然基金资助项目

摘　　要：用 Si H4 气体的减压 CVD法 ,在氧化硅以及石英基板上自然形成了高密度的 (～ 10 11cm-2 )纳米尺寸的半球状硅晶粒 (硅量子点 ) ,并且对其光学吸收和发光 (Photo- luminescence,PL)特性进行了评价。用表面热氧化了的硅量子点样品 ,在室温条件且在高于 1.2 e V以上的能量范围内观察到了 PL谱。随着量子点尺寸的减少 ,PL谱的光学吸收限移向高能方向。 PL谱的峰值能呈现大幅度的 (约 0 .9e V)斯塔克移动 ,并且 PL谱的强度几乎与温度无关 ,说明发光来自与局域能级相关联的发光和复合过程。Using the low pressure CVD method with SiH 4 gas, we have accumulated the silicon quantum dots in self assembled and nano sized on a silica glass substrate. The optical absorption and photoluminescene spectra have been observed. With decreasing the size of silicon quantum dot, the limit of optical absorption shifts to higher energy. The intensity of photoluminescence spectrum is independent of temperature, which means that the photoluminescence is due to the recombination between the local energy levels.

关 键 词：硅量子点 自然形成 光学吸收发射谱 纳米 

分 类 号：O471.5[理学—半导体物理]