低能离子注入对PAn/Si异质结太阳电池的改性研究  

Modification of Polyaniline/Si Heterojunction Solar Cell by Low Energy Ion Implantation

作　　者：王辉[1] 郑建邦[1] 曹猛 李成全 吴洪才 

机构地区：[1]西安交通大学电信学院光电技术太阳能研究所,西安710049

出　　处：《真空科学与技术》2000年第5期336-339,共4页Vacuum Science and Technology

基　　金：国家自然科学基金资助项目!(19775 0 39)

摘　　要：利用电化学方法制备了聚苯胺 /Si太阳电池 ,将离子注入改性技术引用到聚苯胺 /Si异质结太阳电池的改性研究中 ,对离子注入后太阳电池顶区材料的吸收光谱和热稳定性能进行了研究 ,测量了改性后电池的输出特性。研究结果表明 :经离子注入改性后的聚苯胺吸收光谱明显变宽 ,材料的热分解温度较注入前提高了 40℃ ,电池在 10 92W/m2 光照时的转换效率提高了 18倍 ,在 37 2W/m2 光照时的转换效率提高了近Ion implantation may favorably modify the properties of polyaniline/Si heterojunction solar cells.Influence of the implantation on the absorption spectrum and the thermal stability was discussed.The results show that the absorption spectrum of the films modified by ion implantation is much wider;its pyrolysis temperature increases by 40 ℃,and the cell efficiency increases 18 and 3 times under the illumination of 10 92 W/m 2 and 37 2 W/m 2,respectively.

关 键 词：离子注入 聚苯胺 异质结太阳电池 硅 掺杂 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]