^18氟-氟脱氧葡萄糖．正电子发射断层显像在评估局灶性皮质发育不良所致难治性癫痫致痫区中的应用  

作　　者：赵泽仙 WongChong-hey 丁瑶[1] 王爽[1] 

机构地区：[1]浙江大学医学院附属第二医院神经内科癫痫中心,杭州310009 [2]Westmead Hospital, Department ofNeurology, School of Medicine, Sydney University, Sydney, Australia

出　　处：《中华神经科杂志》2013年第8期560-563,共4页Chinese Journal of Neurology

基　　金：基金项目：国家自然科学基金资助项目（81100968,81271435）

摘　　要：我国目前有癫痫患者逾千万，其中30％的患者经过规范的药物治疗后不能满意地控制发作，发展为难治性癫痫。针对其病因学的研究发现，造成难治性癫痫的脑组织病变主要包括皮质发育不良和肿瘤两大类。局灶性皮质发育不良（focalcorticaldysplasia，FCD）是局限的大脑皮质发育畸形，越来越多的新皮质病灶被高分辨MRI发现，其术后病理均提示FCD的存在。然而不少FCD患者高分辨MRI仅表现为局灶性皮质增厚、灰质一白质交界不清，或轻微的白质高信号，这些微小改变很容易漏诊，而且约30％FCD（特别是I型FCD）患者的MRI表现是阴性的“。

关 键 词：局灶性皮质发育不良 难治性癫痫 正电子发射断层显像 氟脱氧葡萄糖 致痫区 高分辨MRI 白质高信号 癫痫患者 

分 类 号：R742.1[医药卫生—神经病学与精神病学]