MOS器件及电路的总剂量辐射效应测试技术解析  

作　　者：陆时跃 

机构地区：[1]中国振华集团永光电子有限公司,贵州贵阳550018

出　　处：《硅谷》2013年第12期50-50,49,共2页

摘　　要：辐射是指线同物质之间的相互作用,文章对各种模拟源辐射环境的测量方法进行了分析,介绍了测试MOS器件及电路的总剂量辐射效应的技术,围绕实验进行讨论。

关 键 词：模拟辐射源 阀值电压 总剂量 MOS器件 辐射效应 

分 类 号：TN406[电子电信—微电子学与固体电子学]