超大规模集成电路设计基础：第三讲 NMOS VLSI的结构特性  

作　　者：刘以皓 冯世琴 

机构地区：中科院遥感卫星地面站 中科院文献情报中心

出　　处：《电子技术应用》1991年第3期37-40,共4页Application of Electronic Technique

摘　　要：<正> 3.1 NMOS VLSI拓扑结构NMOS集成电路是多层布线的三维立体结构,整个电路完全由各层特定宽度的线条构成。一条扩散层线条与一条多晶层线条相交叉,即形成一MOS 管。故电路中的连接线占芯片结构的绝大部分面积。因此VLSI芯片设计中,多层布线的技术对简化结构,缩小面积、提高集成度就十分重要;而它所含元器件——MOS管的数量多少,相对来说就显得不很重要了。

关 键 词：VLSI NMOS 集成电路 设计 

分 类 号：TN470.2[电子电信—微电子学与固体电子学]