基于BSIM3的低温MOSFET模型及参数提取  

Low temperature MOSFET model and parameter extraction based on BSIM3

作　　者：邓旭光[1] 

机构地区：[1]华北光电技术研究所,北京100015

出　　处：《激光与红外》2013年第9期1051-1054,共4页Laser & Infrared

摘　　要：器件模型作为工艺与设计之间的接口,对保证集成电路设计成功具有决定意义。本文介绍了BSIM3模型的原理,并完成了低温下(77K)BSIM3模型的参数提取。同时探讨了使用参数提取软件的具体工作步骤。Device model as interface between IC process and design are very important for ensuring a successful IC design.The theory of BSIM3 is presented,and model parameters under low temperature（77K） are extracted.Meanwhile,the details of parameter extraction software are introduced and discussed.

关 键 词：MOSFET BSIM3 参数提取 

分 类 号：TN214[电子电信—物理电子学]