MB51T008A：功率芯片  

出　　处：《世界电子元器件》2013年第10期24-24,共1页Global Electronics China

摘　　要：富士通半导体（上海）有限公司推出基于硅村底的氮化镓（GaN）功率器件芯片MB51T008A，该芯片可耐压150V。基于富士通半导体的GaN功率器件，用户可以设计出体积更小，效率更高的电源组件，可广泛的运用于ICT设备、工业设备和汽车电子等领域。

关 键 词：功率芯片 功率器件 电源组件 CT设备 汽车电子 工业设备 半导体 富士通 

分 类 号：TN929.53[电子电信—通信与信息系统]