微硅隧道加速度传感器设计  

Design of the Tunneling Microsilicon Acceleration Sensor

作　　者：陈德英[1] 茅盘松[1] 史建伟 熊涛 迟姗 张旭 

机构地区：[1]东南大学微电子中心,南京210096

出　　处：《固体电子学研究与进展》2000年第4期350-356,共7页Research & Progress of SSE

摘　　要：比较了压阻式、电容式和隧道式加速度传感器的特点 ,提出了扭摆式隧道加速度传感器的结构 ,给出了工作原理和设计模型 ,最后给出了结构尺寸、版图总图及试制的芯片照片。This paper makes a feature of piezoresistive,capacitive and tunneling acceleration sensors.New structure of torsion tunneling acceleration sensor is proposed and the principle and design model of the sensor are described.Finally,the structural dimension,layout and photogragh of the sample are given.

关 键 词：微硅 隧道加速度传感器 扭摆式 固支梁结构 

分 类 号：TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]